[发明专利]一种静电吸盘装置有效
| 申请号： | 201510423110.3 | 申请日： | 2015-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN106653670B | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 吴狄;户高良二 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种静电吸盘装置，包括：静电吸盘、用于支撑所述静电吸盘的支撑结构以及用于测量静电吸盘温度的光纤温度传感器，所述光纤温度传感器包括传输光纤，所述传输光纤包括相互分离的第一传输光纤和第二传输光纤；当将所述静电吸盘组装到所述支撑结构上时，安装有第一传输光纤的所述静电吸盘的下表面与安装有第二传输光纤的所述支撑结构的上表面相对放置，所述第一传输光纤的第一端与所述第二传输光纤的第一端对接。本发明提供的静电吸盘装置减少了传输光纤被损坏的几率，保证了传输光纤的稳定性，降低了静电吸盘装置的硬件成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 静电 吸盘 装置 | ||
【主权项】：
1.一种静电吸盘装置，包括：静电吸盘、用于支撑所述静电吸盘的支撑结构以及用于测量静电吸盘温度的光纤温度传感器，其特征在于，所述光纤温度传感器包括传输光纤，所述传输光纤包括相互分离的第一传输光纤和第二传输光纤；所述静电吸盘上设置有用于安装所述第一传输光纤的第一安装结构；所述支撑结构上设置有用于安装所述第二传输光纤的第二安装结构；当将所述静电吸盘组装到所述支撑结构上时，安装有第一传输光纤的所述静电吸盘的下表面与安装有第二传输光纤的所述支撑结构的上表面相对放置，所述第一传输光纤的第一端与所述第二传输光纤的第一端对接；其中，所述第一传输光纤的第一端位于所述静电吸盘的下表面的一侧；所述第二传输光纤的第一端位于所述支撑结构的上表面的一侧。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中微半导体设备（上海）有限公司，未经中微半导体设备（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510423110.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于半导体封装件的再制工艺和工具设计
- 下一篇：浅沟槽隔离结构的形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
