[发明专利]多晶硅片制绒及清洗方法

摘要

本发明涉及一种多晶硅片制绒及清洗方法。多晶硅片制绒及清洗方法，包括以下步骤将多晶硅片至于2℃～10℃的混合液中浸泡1分钟～2分钟进行制绒，所述混合液由硝酸、氢氟酸及冰乙酸组成；将制绒后的所述多晶硅片依次使用水、无机碱溶液、混合酸液及水进行清洗，其中，所述无机碱溶液的温度为48℃～52℃，所述混合酸液由盐酸和氢氟酸组成；及将清洗后的多晶硅片进行干燥。上述多晶硅片制绒及清洗方法可降低多晶硅片的反射率。

主权项

一种多晶硅片制绒及清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：将多晶硅片置于2℃～10℃的混合液中浸泡1分钟～2分钟进行制绒，所述混合液由硝酸、氢氟酸及冰乙酸组成，所述混合液由体积比为15～14:5～4:2～1.5的硝酸、氢氟酸及冰乙酸组成，其中，所述硝酸的质量浓度为65％～68％，所述氢氟酸的质量浓度为48.4％～49.6％，所述冰乙酸的质量浓度为99.8％～99.9％；将制绒后的所述多晶硅片依次使用水、无机碱溶液、混合酸液及水进行清洗，其中，所述无机碱溶液的温度为48℃～52℃，所述混合酸液由盐酸和氢氟酸组成，所述混合酸液中所述盐酸的质量浓度为36％～38％，所述氢氟酸的质量浓度为48.4％～49.6％；及将清洗后的多晶硅片进行干燥。