[发明专利]低介电常数硅微粉的制备方法在审
| 申请号： | 201510442648.9 | 申请日： | 2015-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN105084373A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 陈林 | 申请（专利权）人： | 陈林 |
| 主分类号： | C01B33/12 | 分类号： | C01B33/12 |
| 代理公司： | 苏州慧通知识产权代理事务所(普通合伙) 32239 | 代理人： | 黄建月 |
| 地址： | 215006 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种低介电常数硅微粉的制备方法，其通过将长石族的矿物磨损后酸浸处理，提取出矿物中的其他可溶于酸的元素如铝、钾、钠等元素后，将留下的硅质残渣经过洗涤、烘干、煅烧处理，并将煅烧后的二氧化硅进行分级以去除小颗粒粉体，接着进行粉碎分级处理以去除大颗粒的粉体后，得新的连续可调的粉体，新粉体特别适用于作为芯片封装的和覆铜箔板的硅微粉填料，这种粉体具有低密度、低硬度、无尖角及低介电常数的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 介电常数 硅微粉 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低介电常数硅微粉的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，将长石族矿物磨碎至100目～300目，并用硫酸和氢氟酸的混合酸或盐酸和氢氟酸的混合酸酸浸一定的时间，以去除矿物中的非硅质元素，得到酸浸混合物；S2，将所述酸浸混合物过滤获得酸浸残渣，即残留二氧化硅；S3，将所述残留二氧化硅反复洗涤、压滤，直至洗涤后的水呈中性；S4，将洗涤压滤后的二氧化硅在105～160度条件下烘干；S5，将烘干后的二氧化硅在500～1200度条件下煅烧2～10个小时后，进行粉体分级去除小颗粒的处理；S6，进一步粉碎分级去除大颗粒，得到粒度分布符合要求的粉体。
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