[发明专利]一种多晶硅引晶方法在审

专利信息
申请号: 201510446358.1 申请日: 2015-07-27
公开(公告)号: CN105088337A 公开(公告)日: 2015-11-25
发明(设计)人: 宋江;郭宽新 申请(专利权)人: 奥特斯维能源(太仓)有限公司
主分类号: C30B28/06 分类号: C30B28/06;C30B29/06
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 张海英;林波
地址: 215434 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种多晶硅引晶方法,包括以下步骤:(1)在引晶颗粒外包裹一层氮化硅涂层形成新的引晶颗粒;(2)把步骤(1)中形成的新的引晶颗粒均匀的铺设到坩埚底部;(3)把经过步骤(2)处理后的坩埚放入铸锭炉中,进行多晶硅的铸锭。本发明在原有多晶硅铸锭的基础上,通过把引晶颗粒的外表面包裹一层氮化硅涂层,大大的改善了引晶颗粒与坩埚底部接触易发生粘连的问题。
搜索关键词: 一种 多晶 硅引晶 方法
【主权项】:
一种多晶硅引晶方法,其特征在于,包括以下步骤:(1).在引晶颗粒外包裹一层氮化硅涂层形成新的引晶颗粒;(2).把步骤(1)中形成的新的引晶颗粒均匀的铺设到坩埚底部;(3).把经过步骤(2)处理后的坩埚放入铸锭炉中,进行多晶硅的生产。
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