[发明专利]高压金属氧化物半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201510446912.6 | 申请日： | 2015-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN105322020A | 公开（公告）日： | 2016-02-10 |
| 发明（设计）人： | 郝际发;丹尼尔·哈恩 | 申请（专利权）人： | 飞兆半导体公司;快捷半导体（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/66;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 梁丽超;陈鹏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及高压金属氧化物半导体器件及其形成方法。在一般方面，高压金属氧化物半导体(HVMOS)器件可包括设置在所述HVMOS器件的沟道区上的第一栅极电介质层和设置在所述HVMOS器件的漂移区的至少一部分上的第二栅极电介质层。所述漂移区可邻近所述沟道区横向设置。所述第二栅极电介质层的厚度可大于所述第一栅极电介质层的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 金属 氧化物 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种高压金属氧化物半导体HVMOS器件，包括：第一栅极电介质层，所述第一栅极电介质层设置在所述HVMOS器件的沟道区上；以及第二栅极电介质层，所述第二栅极电介质层设置在所述HVMOS器件的漂移区的至少一部分上，所述第二栅极电介质层的厚度大于所述第一栅极电介质层的厚度。
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