[发明专利]一种高磁导率低损耗软磁铁氧体材料及制备方法在审

专利信息
申请号: 201510447246.8 申请日: 2015-07-24
公开(公告)号: CN105084882A 公开(公告)日: 2015-11-25
发明(设计)人: 陈维兆;王步猛;朱云芳;陈申;吉燕芹 申请(专利权)人: 天长市中德电子有限公司
主分类号: C04B35/26 分类号: C04B35/26
代理公司: 合肥市长远专利代理事务所(普通合伙) 34119 代理人: 程笃庆;黄乐瑜
地址: 239300 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种高磁导率低损耗软磁铁氧体材料,其原料按重量份包括主成分100份,辅成分0.5-1份,助剂1-5份;主成分的原料按摩尔份包括:Fe3O4 20-30,NiO 15-18,ZnO 10-13,CuO 2-4分,V2O5 6-8,WO3 1-2;辅成分的原料按重量份包括:Bi2O3 1-2,SiO2 0.5-1.5,Nb2O5 1-3,Ti2O3 1-4,PtO2 2-5,硼化铬1-2;助剂的原料按重量份包括:改性聚乙烯醇100,聚乙烯醇5-10,硫酸钡1-4,硬脂酸镁1-2,硬酯酸锌1-5。本发明还公开了一种高磁导率低损耗软磁铁氧体材料的制备方法。本发明高频,高磁导率,高电阻率,低损耗,制备工艺简单。
搜索关键词: 一种 磁导率 损耗 磁铁 材料 制备 方法
【主权项】:
一种高磁导率低损耗软磁铁氧体材料,其特征在于,其原料按重量份包括主成分100份,辅成分0.5‑1份,助剂1‑5份;主成分的原料按摩尔份包括:Fe3O4 20‑30份,NiO 15‑18份,ZnO 10‑13份,CuO 2‑4分,V2O5 6‑8份,WO3 1‑2份;辅成分的原料按重量份包括:Bi2O3 1‑2份,SiO2 0.5‑1.5份,Nb2O5 1‑3份,Ti2O3 1‑4份,PtO2 2‑5份,硼化铬1‑2份;助剂的原料按重量份包括:改性聚乙烯醇100份,聚乙烯醇5‑10份,硫酸钡1‑4份,硬脂酸镁1‑2份,硬酯酸锌1‑5份。
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