[发明专利]制造碳化硅半导体器件的方法

摘要

本发明涉及制造碳化硅半导体器件(1)的方法，包括以下步骤。当在垂直于主表面(10a)的方向上看时，碳化硅衬底(10)具有设置为包括一个边的端部(C0)、第一体区(13a1)的最靠近该端部的顶点(C1)和第二体区(13b1)的最靠近该端部的顶点(C2)的连接区(17)，连接区被电连接到第一体区和第二体区两者，连接区具有第二导电类型。当在平行于主表面的方向上看时，第一漂移区(12a1)和第二漂移区(12b1)设置在栅极绝缘膜(15)和连接区之间。连接区、第一体区和第二体区通过离子注入形成。因此，提供了通过简单的工艺制造碳化硅半导体器件以实现缓和栅极绝缘膜中的电场集中的方法。

主权项

一种制造碳化硅半导体器件(1)的方法，包括以下步骤：制备具有主表面(10a)的碳化硅衬底(10)；以及在所述碳化硅衬底(10)的所述主表面(10a)上形成栅极绝缘膜(15)，当在垂直于所述主表面(10a)的方向上看时，所述碳化硅衬底(10)包括第一单元区(CL1)和第二单元区(CL2)，所述第一单元区(CL1)和所述第二单元区(CL2)每个都具有多边形的外形并且共享所述多边形的一个边(M12)，所述第一单元区(CL1)具有第一源极区(14a)、第一体区(13a1)和第一漂移区(12a1)，所述第一源极区(14a)具有第一导电类型，所述第一体区(13a1)包围所述第一源极区(14a)，所述第一体区(13a1)具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型，当在垂直于所述主表面(10a)的方向上看时，所述第一体区(13a1)具有所述多边形的外形，所述第一漂移区(12a1)具有所述第一导电类型，所述第一漂移区(12a1)通过所述第一体区(13a1)与所述第一源极区(14a)分开，所述第二单元区(CL2)具有第二源极区(14b)、第二体区(13b1)和第二漂移区(12b1)，所述第二源极区(14b)具有所述第一导电类型，所述第二体区(13b1)包围所述第二源极区(14b)，所述第二体区(13b1)具有所述第二导电类型，当在垂直于所述主表面(10a)的方向上看时，所述第二体区(13b1)具有所述多边形的外形，所述第二漂移区(12b1)具有所述第一导电类型，所述第二漂移区(12b1)通过所述第二体区(13b1)与所述第二源极区(14b)分开，所述第二漂移区(12b1)在所述多边形的所述一个边处被连接到所述第一漂移区(12a1)，当在垂直于所述主表面(10a)的方向上看时，所述碳化硅衬底(10)具有连接区(17)，所述连接区(17)被设置为包括所述一个边的端部(C0)、所述第一体区(13a1)的最靠近所述端部的顶点(C1)和所述第二体区(13b1)的最靠近所述端部的顶点(C2)，所述连接区(17)被电连接到所述第一体区(13a1)和所述第二体区(13b1)两者，所述连接区(17)具有所述第二导电类型，当在平行于所述主表面(10a)的方向上看时，所述第一漂移区(12a1)和所述第二漂移区(12b1)被设置在所述栅极绝缘膜(15)和所述连接区(17)之间，在形成所述栅极绝缘膜(15)的步骤中，所述栅极绝缘膜(15)与所述第一源极区(14a)、所述第一体区(13a1)、所述第一漂移区(12a1)、所述第二源极区(14b)、所述第二体区(13b1)和所述第二漂移区(12b1)相接触地形成在所述主表面(10a)上，所述连接区(17)、所述第一体区(13a1)和所述第二体区(13b1)通过离子注入形成。