[发明专利]基板的处理装置及处理方法在审
| 申请号： | 201510451334.5 | 申请日： | 2012-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN105070673A | 公开（公告）日： | 2015-11-18 |
| 发明（设计）人： | 林航之介;松井绘美;大田垣崇;桧森洋辅 | 申请（专利权）人： | 芝浦机械电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/3105;H01L21/321 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 戚宏梅;杨谦 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够对半导体晶片的面可靠地进行基于蚀刻液的蚀刻加工的基板的处理装置及处理方法。基板的处理装置具备：第一喷嘴体(25)，对半导体晶片(W)的板面供给蚀刻液(E)；厚度检测传感器(29)，检测由蚀刻液蚀刻的半导体晶片的厚度；控制装置，在由厚度检测传感器检测出的半导体晶片的厚度为异常时，使基于蚀刻液的蚀刻中断；以及研磨体(27)，在基于蚀刻液的蚀刻中断时，将半导体晶片的板面加工成粗糙面。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种基板的处理装置，通过蚀刻液对基板的板面进行蚀刻，其特征在于，具备：加工机构，将通过预加工对板面进行了镜面加工后的上述基板的板面加工成粗糙面；以及蚀刻液供给机构，对由上述加工机构加工成了粗糙面的状态下的上述板面供给蚀刻液。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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