[发明专利]半导体存储器件的字线驱动器电路有效
| 申请号： | 201510454857.5 | 申请日： | 2015-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN105719684B | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 池性洙 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C8/08 | 分类号： | G11C8/08 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种字线驱动器电路，可以包括：第一有源区；第二有源区，在第一方向上与第一有源区间隔开，并在基本上垂直于第一方向的第二方向上与第一有源区间隔开；第一接触，形成在第一有源区和第二有源区中的每个的两端；第二接触，在第一有源区和第二有源区中形成在第一接触之间；以及栅极区，沿直线位于形成在第一有源区的第二端上的第一接触与第二接触之间以及形成在第二有源区的第一端上的第一接触与第二接触之间，逆时针围绕形成在第一有源区中的第二接触的部分，并顺时针围绕形成在第二有源区中的第二接触的部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 驱动器 电路 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件的字线驱动器电路，包括：第一有源区；第二有源区，在第一方向上与第一有源区间隔开，并在基本上垂直于第一方向的第二方向上与第一有源区间隔开；第一接触，形成在第一有源区和第二有源区中的每个的两端；第二接触，在第一有源区和第二有源区中形成在第一接触之间；以及栅极区，沿直线位于形成在第一有源区的第二端上的第一接触与形成在第一有源区中的第二接触之间以及形成在第二有源区的第一端上的第一接触与形成在第二有源区中的第二接触之间，逆时针围绕形成在第一有源区中的第二接触的部分，并顺时针围绕形成在第二有源区中的第二接触的部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510454857.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
