[发明专利]检测嵌入式锗硅外延缺失缺陷的方法

摘要

本发明公开了一种检测嵌入式锗硅外延缺失缺陷的方法，包括：步骤1，采用多晶硅氧化后锗硅外延法或者第二氮化硅间隔区后锗硅外延法在半导体硅衬底上生长锗硅外延层；步骤2，使用缺陷腐蚀剂腐蚀所述锗硅外延层，缺失缺陷部位的半导体硅衬底上会形成孔洞；步骤3，扫描所述锗硅外延层，评估锗硅外延层的生长质量并确定缺失缺陷部位的存在；步骤4，制备含有缺失缺陷部位的样品并通过透射电镜精确检测样品中缺失缺陷部位的位置。本发明可以在嵌入式锗硅外延开发和生产过程中及时发现工艺产生的缺陷，并进行具体有效的观察，有效解决现有技术中因半导体器件中存在缺失缺陷部位而导致器件良率下降的问题。

主权项

1.一种检测嵌入式锗硅外延缺失缺陷的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，采用多晶硅氧化后锗硅外延法或者第二氮化硅间隔区后锗硅外延法在半导体硅衬底上生长锗硅外延层；所述多晶硅氧化后锗硅外延法是指在多晶硅氧化和氮化硅间隔区淀积后的U型锗硅外延工艺；所述第二氮化硅间隔区后锗硅外延法是指在多晶硅氧化以及第一、第二氮化硅间隔区淀积后的Σ型锗硅外延工艺；步骤2，以所述锗硅外延层为硬掩模，使用缺陷腐蚀剂腐蚀所述锗硅外延层，缺失缺陷部位的半导体硅衬底上会形成孔洞；步骤3，采用光学显微镜扫描所述锗硅外延层，并利用锗硅外延层与半导体硅衬底反射率的不同来评估锗硅外延层的生长质量并确定缺失缺陷部位的存在；步骤4，用扫描电镜精确控制聚焦离子束来制备含有缺失缺陷部位的样品并通过透射电镜精确检测样品中缺失缺陷部位的位置。