[发明专利]SRAM存储单元、SRAM电路及其读写方法

摘要

本发明提供了一种SRAM存储单元、SRAM电路及其读写方法，所述SRAM存储单元由参与写操作的第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七MOS晶体管以及参与读操作第八、第九、第十MOS晶体管组成，第三MOS晶体管的栅极连接第一控制信号，第四MOS晶体管的栅极连接第二控制信号，第九MOS晶体管的栅极连接列选择信号，第十MOS晶体管的栅极连接字线，本发明可避免现有的数据感知型SRAM结构在半选状态中的功耗损失，并减少寄生电容对SRAM存储单元稳定性的影响，同时提高读写性能。

主权项

1.一种SRAM存储单元，其特征在于，包括：参与写操作的第一MOS晶体管、第二MOS晶体管、第三MOS晶体管、第四MOS晶体管、第五MOS晶体管、第六MOS晶体管、第七MOS晶体管以及参与读操作第八MOS晶体管、第九MOS晶体管、第十MOS晶体管；所述第一MOS晶体管的栅极连接第二节点，源极和漏极分别接地和连接第一节点；所述第二MOS晶体管的栅极连接第一节点，源极和漏极分别接地和连接第二节点；所述第三MOS晶体管的栅极连接第一控制信号，源极和漏极分别连接第三节点和第一节点；所述第四MOS晶体管的栅极连接第二控制信号，源极和漏极分别连接第三节点和第二节点；所述第五MOS晶体管的栅极连接第二节点，源极和漏极分别连接电源电压和第一节点；所述第六MOS晶体管的栅极连接第一节点，源极和漏极分别连接电源电压和第二节点；所述第七MOS晶体管的栅极连接字线，源极和漏极分别接地和连接第三节点；所述第八MOS晶体管的栅极连接第二节点，源极和漏极分别接地和连接第四节点；所述第九MOS晶体管的栅极连接列选择信号，源极和漏极分别连接第四节点和第五节点；所述第十MOS晶体管的栅极连接字线，源极和漏极分别连接第五节点和子位线。