[发明专利]承载装置、湿法刻蚀设备及其使用方法在审
申请号: | 201510460889.6 | 申请日: | 2015-07-28 |
公开(公告)号: | CN105140167A | 公开(公告)日: | 2015-12-09 |
发明(设计)人: | 林致远;黄寅虎 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 汪源;陈源 |
地址: | 230012 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种承载装置、湿法刻蚀设备及其使用方法,其中,该承载装置包括:设置于所述待处理基板下方的承载主体和加热单元,承载主体用于承载所述待处理基板,且使得所述待处理基板呈倾斜放置,加热单元用于对所述待处理基板进行加热,以使得所述待处理基板上由顶部至底部所对应的温度逐渐升高。本发明的技术方案通过在待处理基板下方设置加热单元,以使得待处理基板上由顶部至底部所对应的温度逐渐升高,从而可提高位于待处理基板底部的刻蚀液的刻蚀速率,解决了位于待处理基板底部的刻蚀液因流动交换效率较低而造成刻蚀速率偏低的问题,进而提升了倾斜式湿法刻蚀过程中刻蚀速率的均一性。 | ||
搜索关键词: | 承载 装置 湿法 刻蚀 设备 及其 使用方法 | ||
【主权项】:
一种承载装置,其特征在于,用于在湿法刻蚀过程中承载待处理基板,所述承载装置包括:承载主体,设置于所述待处理基板的下方,用于承载所述待处理基板,且使得所述待处理基板呈倾斜放置;加热单元,设置于所述待处理基板的下方,用于对所述待处理基板进行加热,以使得所述待处理基板上沿倾斜方向由顶部至底部所对应的温度逐渐升高。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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