[发明专利]半导体叠层封装方法

摘要

本发明提供一种半导体叠层封装方法，包括A制作上封装体，B制作封装有芯片的下封装体，C将所述上封装体和所述下封装体叠层封装，步骤B包括S101提供制作下封装体的金属板；S102在金属板上表面形成凹坑，下表面形成凸起；S103将芯片连接在金属板的下表面；S104用塑封底填料将芯片固定和封装于金属板上形成塑封体；S105打磨塑封体至露出凸起和芯片的上表面；S106打磨或者蚀刻金属板下表面以去除凹坑；S107在步骤S106处理后的塑封体的上表面形成再布线金属层，在再布线金属层上形成第一焊球。本发明提供的封装方法在金属板上形成凸起以作为下封装体的电极，实现芯片在封装体中的上下导通；打磨塑封体减小封装厚度，提高封装密度。

主权项

一种半导体叠层封装方法，包括：A：制作上封装体，B：制作封装有芯片的下封装体，C：将所述上封装体和所述下封装体叠层封装，其特征在于，所述B包括：S101：提供制作所述下封装体的金属板；S102：在所述金属板上表面形成凹坑，所述凹坑的厚度小于所述金属板的厚度；在所述金属板的下表面形成凸起，所述凸起的厚度大于等于待装载芯片的厚度；S103：将所述待装载的芯片连接在所述金属板的下表面；S104：用塑封底填料将上述芯片固定和封装于所述金属板上形成塑封体，所述塑封体包覆所述凸起；S105：打磨所述塑封体至露出所述凸起和所述芯片的上表面；S106：打磨或者蚀刻所述金属板的下表面以去除凹坑；S107：在步骤S106处理后的塑封体的上表面形成再布线金属层，在所述再布线金属层上对应所述凸起和所述芯片的布线处形成第一焊球。