[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置在审
| 申请号： | 201510461454.3 | 申请日： | 2015-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN105185835A | 公开（公告）日： | 2015-12-23 |
| 发明（设计）人： | 何晓龙;姚琪;曹占锋;刘聖烈;张斌 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/45;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，用以减少一道掩膜板，节省产能，提高像素的开口率。所述薄膜晶体管包括衬底基板，位于衬底基板上的栅极、栅极绝缘层、有源层以及源极和漏极，源极包括与有源层接触的第一源极，位于第一源极上的第二源极；漏极包括与有源层接触的第一漏极，位于第一漏极上的第二漏极；其中，第一源极和第一漏极的材料为导电聚合物；第二源极和第二漏极的材料为金属。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制作方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括衬底基板，位于所述衬底基板上的栅极、栅极绝缘层、有源层以及源极和漏极，其特征在于，所述源极包括与所述有源层接触的第一源极，位于所述第一源极上的第二源极；所述漏极包括与所述有源层接触的第一漏极，位于所述第一漏极上的第二漏极；其中，所述第一源极和所述第一漏极的材料为导电聚合物；所述第二源极和所述第二漏极的材料为金属。
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