[发明专利]衬底处理装置、气体整流部、半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201510461468.5 | 申请日： | 2015-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN105869979B | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | 松井俊;盛满和广;丰田一行 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立国际电气 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 杨宏军,李文屿 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 衬底处理装置、气体整流部、半导体器件的制造方法，抑制衬底的温度分布变得不均匀且处理均匀性下降。具有处理衬底的处理室；衬底载置台，设置于处理室内，并载置衬底；加热衬底的加热部；气体整流部，向衬底供给处理气体；密封部，设置于气体整流部；隔热部，设置于密封部与气体整流部的上游侧表面之间；以及第一压力调整部，与隔热部连接。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 装置 气体 整流 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种衬底处理装置，具有：处理衬底的处理室；衬底载置台，设置于所述处理室内，并载置所述衬底；设置于所述衬底载置台内、且加热所述衬底的加热部；气体整流部，设置于所述处理室的上部、且向所述衬底供给处理气体；密封部，设置于所述气体整流部；隔热部，设置于所述气体整流部内、所述密封部与所述气体整流部的上游侧表面之间，且构成为环状的槽形状、能够真空排气；第一压力调整部，与所述隔热部连接，且将所述隔热部内调整为规定的第一压力；以及控制部，所述控制部控制所述第一压力调整部。
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