[发明专利]半导体器件和制造方法有效
| 申请号： | 201510469712.2 | 申请日： | 2015-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN105336764B | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | U.格拉泽;P.伊尔西格勒;H-J.舒尔策 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/02 | 分类号： | H01L29/02;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;胡莉莉 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件和制造方法。半导体器件包括从第一表面延伸到半导体主体中的沟槽。三元碳化物和三元氮化物的至少一个在沟槽中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：具有相对的第一表面和第二表面的半导体主体；以及被掩埋在所述半导体主体中的氮化物和碳化物的至少一个，其中所述半导体主体的第二部分在所述第一表面与所述氮化物和所述碳化物的所述至少一个之间，且所述半导体主体的第一部分在第二表面与所述氮化物和所述氮化物的所述至少一个之间，其中所述氮化物和所述碳化物的所述至少一个的熔点大于900℃，并且其中所述碳化物和所述氮化物的所述至少一个的电导率大于3 x 106 S/m。
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