[发明专利]高功率发光装置

摘要

这里公开了一种发光装置。所述发光装置包括：基底，包括第一引线和第二引线；发光二极管，设置在基底的第一引线之上，包括第二导电类型半导体层、活性层和第一导电类型半导体层，并发射近紫外光；以及波长转换单元，设置在发光二极管之上，并且与发光二极管分隔开，其中，发光结构具有半极性或非极性的特性，波长转换单元具有包括第一磷光体层和第二磷光体层的多层结构，并且发光二极管以等于或大于350mA/mm²的电流密度被驱动。

主权项

一种发光装置，所述发光装置包括：基底，包括第一引线和第二引线；发光二极管，设置在基底的第一引线之上，发光二极管包括第二导电类型半导体层、设置在第二导电类型半导体层之上的活性层、以及设置在活性层之上第一导电类型半导体层，并被构造为发射近紫外光；以及波长转换单元，设置在发光二极管之上，其中，发光二极管包括：至少一个槽，被构造为形成在发光结构的下表面中，并且暴露第一导电类型半导体层的一部分；第一电极，被构造为电连接到被所述至少一个槽暴露的第一导电类型半导体层并且设置在发光结构的下面；第二电极，设置在第二导电类型半导体层的下表面的下面，并具有被部分地暴露的上表面，其中，发光二极管具有半极性或非极性生长表面，波长转换单元包括包含第一磷光体层和设置在第一磷光体层上的第二磷光体层的多层结构，发光二极管被构造为以等于或大于350mA/mm²的电流密度来驱动。