[发明专利]一种使晶片变薄的加工方法在审
| 申请号： | 201510480359.8 | 申请日： | 2015-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN105097480A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 施勇 | 申请（专利权）人： | 海门市明阳实业有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 226141 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种使晶片变薄的加工方法，该方法包括：提供晶片；利用黏着层将所述晶片的正面接合于承载晶片上，所述黏着层包括热释放胶带或紫外线胶带；以及进行晶片薄化工艺，由所述晶片的背面薄化所述晶片；所述晶片薄化工艺包括等离子体蚀刻工艺和/或研磨抛光工艺和/或化学蚀刻工艺。本发明利用热释放胶带或紫外线胶带接合晶片与承载晶片，可有效保护晶片正面的元件并解决晶片薄化后不易固定传输的问题；薄化后的晶片在不需去除热释放胶带或紫外线胶带的情况下即可进行后续工艺，可避免晶片受损；晶片薄化工艺可依据规格需求加以调整，并可有效解决应力问题；热释放胶带或紫外线胶带具有易分离特点，可避免晶片破裂。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶片 变薄 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种使晶片变薄的加工方法，其特征在于，该方法包括：提供晶片；利用黏着层将所述晶片的正面接合于承载晶片上，所述黏着层包括热释放胶带或紫外线胶带；以及进行晶片薄化工艺，由所述晶片的背面薄化所述晶片；所述晶片薄化工艺包括等离子体蚀刻工艺和/或研磨抛光工艺和/或化学蚀刻工艺。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海门市明阳实业有限公司，未经海门市明阳实业有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510480359.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：腔室环境调控方法
- 下一篇：用于处理半导体器件的方法和半导体器件
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
