[发明专利]基板加热装置和基板加热方法有效
申请号: | 201510486773.X | 申请日: | 2015-08-10 |
公开(公告)号: | CN105374711B | 公开(公告)日: | 2019-12-10 |
发明(设计)人: | 水田诚人;高柳康治 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;G03F7/16 |
代理公司: | 11322 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳;王雪燕 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供基板加热装置,包括:多个加热模块,其包括对基板进行处理的处理容器;和与各加热模块共用的排气路径,该基板加热装置高精度控制各加热模块中的排气量。基板加热装置包括:多个加热模块,各自包括用于对上述处理容器内的处理氛围取入清洁用的气体的供气口和对处理氛围进行排气的排气口;与各个排气口连接的单独排气路径;与各单独排气路径的下游端共同连接的共用排气路径;分支地设于各单独排气路径的、在处理容器的外部开口的分支路径;和排气量调节部,其调节从排气口侧排出到共用排气路径的排气量和从处理容器的外部经由分支路径取入到共用排气路径的取入量的流量比。由此抑制从各单独排气路径向共用排气路径的气体流量的变动。 | ||
搜索关键词: | 加热 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基板加热装置,其特征在于,包括:/n多个加热模块,其各自包括在内部配置有用于载置基板并对该基板进行加热处理的加热板的处理容器、用于将清洁用的气体取入到该处理容器内的处理氛围中的供气口、和对所述处理氛围进行排气的排气口;/n单独排气路径,其与所述多个加热模块各自的排气口连接;/n共用排气路径,所述多个加热模块的各单独排气路径的下游端公共地连接在共用排气路径上;/n分支路径,其分支地设置于所述各单独排气路径,在所述处理容器的外部开口;/n排气量调节部,其用于调节从所述排气口侧排出到所述共用排气路径的排气量与从所述处理容器的外部经由所述分支路径取入到所述共用排气路径的取入量的流量比;和/n控制部,其输出用于调节所述排气量调节部的流量比率的控制信号,来选择以低的排气量对所述处理氛围内进行排气的低排气状态和以比所述低的排气量多的排气量对所述处理氛围内进行排气的高排气状态,/n所述控制部控制所述排气量调节部,以使得在所述基板被载置在加热板后,至经过预先设定的时间为止或者至基板的温度成为预先设定的温度为止设为低排气状态,之后设为高排气状态。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造