[发明专利]形成用于半导体装置的接点结构的方法及生成的装置有效
| 申请号： | 201510493280.9 | 申请日： | 2015-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN105374744B | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 谢瑞龙;W·J·小泰勒;V·凯米恩尼 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本申请揭示形成用于半导体装置的接点结构的方法及生成的装置。该方法包括，除其它外，一种形成接点结构在晶体管装置的源极/漏极区域的方法。该晶体管装置包含栅极结构及位在该栅极结构上方的栅极覆盖层。该方法包含形成传导耦接至该源极/漏极区域的延伸高度外延接点结构。该延伸高度外延接点结构包含位在该栅极覆盖层的上表面的高度水平上方的高度水平处的上表面。该方法更包含执行蚀刻工艺以缩减至少部分该延伸高度外延接点结构的侧向宽度，并且，在执行该蚀刻工艺之后，形成金属硅化物材料在至少部分经缩减的延伸高度的磊晶接点结构上及形成传导接点在该金属硅化物材料上。 | ||
| 搜索关键词： | 接点结构 外延接点 金属硅化物材料 源极/漏极区域 半导体装置 晶体管装置 栅极覆盖层 延伸 高度水平 蚀刻工艺 栅极结构 上表面 传导 侧向 磊晶 耦接 申请 | ||
【主权项】：
1.一种形成接点结构在晶体管装置的源极/漏极区域的方法，该晶体管装置包括栅极结构及位在该栅极结构上方的栅极覆盖层，该方法包括：形成传导耦接该源极/漏极区域的延伸高度外延接点结构，该延伸高度外延接点结构包括位在该栅极覆盖层的上表面的高度水平上方的高度水平处的上表面；执行至少一道蚀刻工艺以缩减至少部分该延伸高度外延接点结构的侧向宽度，其中，缩减的延伸高度外延接点结构的上表面的高度水平是在该栅极覆盖层的该高度水平上方；在执行该至少一道蚀刻工艺之后，形成金属硅化物材料在至少部分该缩减的延伸高度外延接点结构上；以及形成传导接点在该金属硅化物材料上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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