[发明专利]一种（200）晶面暴露单分散CuO纳米片的合成方法

摘要

本发明公开了一种(200)晶面暴露单分散CuO纳米片的合成方法，工艺如下首先将可溶性铜盐、络合剂和碱源一起溶解在去离子水中得到溶液A；然后在溶液A中加入离子液体得到溶液B；将溶液B进行水热合成反应，洗涤烘干后得到(200)晶面暴露的单分散CuO纳米片。本发明的优点是(1)合成方法简单，反应条件可控性强，具有很高的实用性；(2)利用离子液体有效地控制产品的形貌和暴露晶面，且离子液体可回收，降低成本；(3)产品为具有单晶结构的单斜CuO，无其他杂质产物生成，无需进行纯化处理；(4)产品具有良好的单分散性和结晶性，在光电材料、气敏材料、新能源材料和环境治理等领域具有潜在的应用价值。

主权项

一种(200)晶面暴露单分散CuO纳米片的合成方法，其特征在于，包括以下步骤：1)将可溶性铜盐和络合剂加入到去离子水中，放置老化10min后配制成混合溶液，在搅拌条件下将碱溶液滴入到混合溶液中得到溶液A，其中，可溶性铜盐的浓度为0.05～0.15mol/L，络合剂的浓度为0.15～0.40mol/L，碱源的浓度为0.20～0.60mol/L；2)在溶液A中加入0.20～0.40mol/L离子液体，超声分散10min后得到溶液B；3)将溶液B在特定的反应温度下进行水热合成反应，晶体生长时间为8～12h；将得到的粉末洗涤、干燥后即可得到(200)晶面暴露的单分散CuO纳米片；所述络合剂为柠檬酸三钠、草酸和酒石酸钾钠中的一种、两种或两种以上任意比例的组合；所述离子液体中阳离子为1‑乙基‑2,3‑二甲基咪唑、1‑丁基‑2,3‑二甲基咪唑、1‑丁基‑3‑甲基咪唑或1‑辛基‑3‑甲基咪唑，阴离子为氯离子、溴离子、四氟硼酸根离子或六氟磷酸根离子；所述水热合成反应温度为120～150℃。