[发明专利]发光二极管及其制造方法和发光器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510502099.X | 申请日： | 2009-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN105185887B | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 朴准奭;金腾官;申悍 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 达小丽;夏凯 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了发光二极管及其制造方法和发光器件及其制造方法。该发光器件包括：电路板，其形成有第一导电图案和与所述第一导电图案电隔离的第二导电图案；发光二极管，其电连接到电路板上的第一导电图案和第二导电图案；第一模制构件，第一模制构件包围所述发光二极管；以及第二模制构件，第二模制构件在所述第一模制构件上。发光二极管包括导电支撑衬底、在导电支撑衬底上的具有凸起中心部分的反射电极层、在反射电极层的外围部分上的保护层、在反射层和保护层上的第二导电半导体层、在第二导电半导体层上的有源层、在有源层上的第一导电半导体层和在第一导电半导体层上的第一电极层。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 发光 器件 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，包括：导电支撑衬底；反射电极层，所述反射电极层在所述导电支撑衬底上具有凸起中心部分，并且所述反射电极层具有围绕所述凸起中心部分的外围部分；保护层，所述保护层在所述反射电极层的外围部分上；第二导电半导体层，所述第二导电半导体层在所述反射电极层和所述保护层上；有源层，所述有源层在所述第二导电半导体层上；第一导电半导体层，所述第一导电半导体层在所述有源层上；以及第一电极层，所述第一电极层在所述第一导电半导体层上，其中，所述反射电极层接触所述第二导电半导体层的底表面和所述保护层的底表面，以及其中，所述保护层包括半导体层。
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