[发明专利]薄膜晶体管制作方法及阵列基板制作方法在审
| 申请号： | 201510502120.6 | 申请日： | 2015-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN105140276A | 公开（公告）日： | 2015-12-09 |
| 发明（设计）人： | 万芳丽 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L21/027;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李相雨 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及显示技术领域，公开了一种薄膜晶体管制作方法，包括：在衬底基板上形成包括多晶硅层的图形；在多晶硅层上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上依次形成栅金属薄膜和光刻胶薄膜，通过构图工艺形成包括栅极的图形，保留栅极上方的光刻胶，使得光刻胶边缘超出所述栅极的边缘；对栅极上方的光刻胶进行减薄处理；以减薄处理后的光刻胶为掩膜，对所述多晶硅层进行掺杂处理，以形成有源层，使所述有源层对应光刻胶超出所述栅极边缘的多晶硅区域为轻掺杂区域，未被所述减薄处理后的光刻胶遮挡的多晶硅区域为重掺杂区域；去除剩余的光刻胶。还公开了一种阵列基板制作方法。采用本发明的制作方法，减少了多晶硅薄膜晶体管制作的工艺流程。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制作方法 阵列 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管制作方法，其特征在于，包括：在衬底基板上形成包括多晶硅层的图形；在多晶硅层上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上依次形成栅金属薄膜和光刻胶薄膜，通过构图工艺形成包括栅极的图形，保留栅极上方的光刻胶，使得光刻胶边缘超出所述栅极的边缘；对栅极上方的光刻胶进行减薄处理；以减薄处理后的光刻胶为掩膜，对所述多晶硅层进行掺杂处理，以形成有源层，使所述有源层对应光刻胶超出所述栅极边缘的多晶硅区域为轻掺杂区域，未被所述减薄处理后的光刻胶遮挡的多晶硅区域为重掺杂区域；去除剩余的光刻胶。
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