[发明专利]干式蚀刻装置及阵列基板干式蚀刻去除静电方法有效
| 申请号： | 201510504223.6 | 申请日： | 2015-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN105206495B | 公开（公告）日： | 2018-08-07 |
| 发明（设计）人： | 刘思洋 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种干式蚀刻装置，用于阵列基板的蚀刻，所述干式蚀刻装置包括机体、设于机体内的反应腔体、第一电极、第二电极及两个导接体，所述反应腔体包括顶壁及与顶壁相对设置的底壁，所述第一电极设于顶壁上，所述第二电极设于底壁上，所述两个导接体间隔设置且贯穿所述底壁及第二电极，所述导接体可相对所述反应腔体伸缩，所述导接体包括绝缘套及位于绝缘套内的导电体，所述导电体接地设置，本发明还公开了一种阵列基板干式蚀刻去除静电方法。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 装置 阵列 基板干式 去除 静电 方法 | ||
【主权项】：
1.一种干式蚀刻装置，用于阵列基板的蚀刻，其特征在于，所述干式蚀刻装置包括机体、设于机体内的反应腔体、第一电极、第二电极及两个导接体，所述反应腔体包括顶壁及与顶壁相对设置的底壁，所述第一电极设于顶壁上，所述第二电极设于底壁上，所述两个导接体间隔设置且贯穿所述底壁及第二电极，所述两个导接体间隔设置且贯穿所述底壁及第二电极，所述导接体可相对所述反应腔体伸缩，所述导接体包括绝缘套及位于绝缘套内的导电体，所述导电体相对所述绝缘套伸缩，使所述导电体伸出所述绝缘套将所述基板顶起，将蚀刻后的基板上残留的静电移除，所述导电体贯穿所述底壁，且部分所述导电体设于所述反应腔体外并接地设置，所述底壁上位于所述第二电极的两侧位置设有绝缘挡板，用以防止所述反应腔体内放电击伤所述第二电极。
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