[发明专利]保护膜覆盖方法和保护膜覆盖装置有效
申请号: | 201510504881.5 | 申请日: | 2015-08-17 |
公开(公告)号: | CN105390405B | 公开(公告)日: | 2019-06-14 |
发明(设计)人: | 小田中健太郎 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供保护膜覆盖方法和保护膜覆盖装置。包括:晶片保持工序,将晶片正面朝上地保持于旋转工作台;液态树脂滴下工序,将液态树脂滴下至晶片的正面中央区域;水层形成工序,对在正面中央区域滴下有液态树脂的晶片供给水而在整个正面上形成水层;液态树脂扩散工序,使旋转工作台旋转,随着晶片旋转,作用于水层的离心力使得水层飞散,液态树脂扩散而在整个正面形成薄的保护膜层;液态树脂供给工序,旋转工作台以比液态树脂扩散工序慢的速度旋转,并向整个正面供给比液态树脂滴下工序多的量的液态树脂;以及保护膜形成工序,旋转工作台以比液态树脂供给工序快的速度旋转,随着晶片旋转,作用于液态树脂的离心力使液态树脂扩张而在整个正面形成保护膜。 | ||
搜索关键词: | 保护膜 覆盖 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种保护膜覆盖方法,其是在待进行激光加工的晶片的正面上覆盖液态树脂而形成保护膜的方法,其特征在于,该保护膜覆盖方法包括:晶片保持工序,将晶片以该晶片的正面成为上侧的方式保持在旋转工作台上;液态树脂滴下工序,将液态树脂滴下至被保持在旋转工作台上的晶片的正面中央区域处;水层形成工序,对于在正面中央区域滴下有液态树脂的晶片供给水,在晶片的整个正面上形成水层;液态树脂扩散工序,使旋转工作台旋转,随着晶片的旋转,作用于水层的离心力使得水层飞散,由此使液态树脂扩散而在晶片的整个正面上形成薄的保护膜层;液态树脂供给工序,使旋转工作台以比该液态树脂扩散工序慢的速度旋转,并向晶片的整个正面供给比该液态树脂滴下工序多的量的液态树脂;以及保护膜形成工序,使旋转工作台以比该液态树脂供给工序快的速度旋转,随着晶片旋转,作用于液态树脂的离心力使液态树脂扩张,从而在晶片的整个正面上形成保护膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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