[发明专利]带有双圈焊凸点的无引脚CSP堆叠封装件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201510510280.5 申请日: 2015-08-19
公开(公告)号: CN105161475B 公开(公告)日: 2017-12-22
发明(设计)人: 邵荣昌;李习周;慕蔚 申请(专利权)人: 天水华天科技股份有限公司;甘肃微电子工程研究院有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L23/495;H01L21/60
代理公司: 甘肃省知识产权事务中心62100 代理人: 周立新
地址: 741000 甘*** 国省代码: 甘肃;62
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摘要: 一种带有双圈焊凸点的无引脚CSP堆叠封装件及其制造方法,包括堆叠设置的两个C芯片,下面的芯片下有粘片胶,该IC芯片周围有两圈由多个凸焊点组成的焊接点,两圈凸焊点分别与两个IC芯片相连,两个芯片相连,凸焊点的外表面和下面IC芯片下面的粘片胶位于塑封体外;也可以将第一IC芯片下面的粘片胶粘贴于芯片载体上,芯片载体均位于塑封体外。引线框架上下面均形成光刻胶层,曝光显影,半蚀刻出凹坑,凹坑内电镀金属化层,去除光刻胶,然后粘贴芯片、打键合线、塑封,化学蚀刻去除引线框架,制得带有双圈焊凸点的无引脚CSP堆叠封装件。该封装件中没有引线框架,同时,键合线较短及没有外引脚,使得封装件具有优异的电学性能。
搜索关键词: 带有 双圈焊凸点 引脚 csp 堆叠 封装 及其 制造 方法
【主权项】:
一种带有双圈焊凸点的无引脚CSP堆叠封装件的制造方法,其特征在于,该制造方法具体按以下步骤进行:步骤1:对于第一IC芯片(1)下面没有芯片载体(9)的堆叠封装件:在铜合金引线框架(10)的上表面和下表面均涂覆形成光刻胶层(11),通过曝光显影在位于铜合金引线框架(10)上表面的光刻胶层(11)上形成焊盘图形(12),采用半蚀刻的方法在焊盘图形(12)所在位置刻蚀出凹坑(13);采用电镀法在凹坑(13)表面依次沉积多层金属,形成凹形的金属化层(8),去掉铜合金引线框架(10)上所有的光刻胶层(11);对于第一IC芯片(1)下面有芯片载体(9)的堆叠封装件:在铜合金引线框架(10)的上表面和下表面均涂覆形成光刻胶层(11),通过曝光显影在位于铜合金引线框架(10)上表面的光刻胶层(11)上形成焊盘图形(12),同时,通过曝光显影在位于铜合金引线框架(10)下表面的光刻胶层(11)上形成芯片载体图形,然后,采用半蚀刻的方法在铜合金引线框架(10)上焊盘图形(12)所在位置刻蚀出凹坑(13),同时,采用半蚀刻的方法在铜合金引线框架(10)上芯片载体图形所在位置刻蚀出载体凹坑;然后,采用电镀法在凹坑(13)表面依次沉积多层金属,形成凹形的金属化层(8),同时,在载体凹坑的底面上电镀与金属化层(8)完全相同的金属层;去掉铜合金引线框架(10)上所有的光刻胶层(11);步骤2:通过粘片胶将第一IC芯片(1)粘贴在铜合金引线框架(10)上,再将第二IC芯片(2)粘贴在第一IC芯片(1)上,烘烤固化;步骤3:在金属化层(8)的底面上预植一个键合球(6),键合球(6)和金属化层(8)组成凸焊点(5),然后采用铜丝拱丝拉弧依次完成第一IC芯片(1)与靠近第一IC芯片(1)的一圈键合球(6)之间、第二IC芯片(2)与远离第一IC芯片(1)的一圈键合球(6)之间、第一IC芯片(1)与第二IC芯片(2)之间的引线键合;塑封后,高温固化;步骤4:对于第一IC芯片(1)下面没有芯片载体(9)的堆叠封装件:采用只溶解铜的蚀刻剂,化学蚀刻去掉引线框架,露出了金属化层(8)的底面和外侧面,制得带有双圈焊凸点的无引脚CSP堆叠封装件;对于第一IC芯片(1)下面有芯片载体(9)的堆叠封装件:采用只溶解铜的蚀刻剂,化学蚀刻去掉引线框架,露出了金属化层(8)的底面和外侧面以及载体凹坑底部和该载体凹坑底部电镀的金属层,制得带有双圈焊凸点的无引脚CSP堆叠封装件。
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