[发明专利]浮栅型闪存结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201510512861.2 | 申请日： | 2015-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN105140301B | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 罗清威;周俊 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种浮栅型闪存结构及其制备方法，通过形成侧壁设置有凸起结构的浮栅提高控制栅与浮栅的接触面积，进而提高控栅到浮栅的耦合比，改善器件写入和擦除效率，提高器件的工作速度。 | ||
| 搜索关键词： | 浮栅型 闪存 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种浮栅型闪存结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底上设置有浮栅区域和非浮栅区域；于所述浮栅区域中形成浮栅，且所述浮栅的侧壁设置有凸起结构；于所述衬底上依次形成ONO层和控制栅，所述ONO层隔离所述浮栅和所述控制栅；去除位于所述非浮栅区域的所述控制栅、ONO层以形成所述浮栅型闪存；其中，所述浮栅由浮栅多晶硅形成；于所述衬底上形成土字形的浮栅的具体步骤为：于所述衬底上沉积辅助层，所述辅助层按照从下至上的顺序依次包括第一氮化硅层/第一氧化硅层/第二氮化硅层/第二氧化硅层；刻蚀位于所述浮栅区域中的所述辅助层至所述衬底的上表面形成凹槽；从所述凹槽中部分刻蚀所述第一氮化硅层和第二氮化硅层，使得所述第一氮化硅层和第二氮化硅层沿垂直于所述凹槽延伸的方向缩进预定长度；沉积浮栅多晶硅层充满所述凹槽；并于移除位于所述辅助层上方的浮栅多晶硅后去除所述辅助层，剩余的浮栅多晶硅层形成侧壁设置有凸起结构的所述浮栅。
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