[发明专利]浮栅型闪存结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201510512865.0 | 申请日： | 2015-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN105118866B | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | 罗清威;周俊 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种浮栅型闪存结构及其制备方法，通过形成具有棱台状凸起的浮栅提高控制栅与浮栅的接触面积，进而提高控栅到浮栅的耦合比，改善器件写入和擦除效率，提高器件的工作速度。 | ||
| 搜索关键词： | 浮栅 闪存结构 制备 半导体制造技术 棱台状凸起 擦除效率 控制栅 耦合比 写入 | ||
【主权项】：
1.一种浮栅型闪存结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底上设置有浮栅区域和非浮栅区域；于所述衬底上形成具有棱台状凸起的浮栅，且所述棱台状凸起位于所述浮栅区域中；在所述浮栅上依次沉积ONO层和控制栅；去除位于所述非浮栅区域的所述控制栅、ONO层和浮栅以形成所述浮栅型闪存；于所述衬底上形成具有棱台状凸起的浮栅的具体步骤为：于所述衬底上按照从下至上的顺序依次形成遂穿氧化层、浮栅多晶硅层和二氧化硅层；去除位于所述非浮栅区域的所述二氧化硅层，形成棱台状的二氧化硅薄膜；去除所述二氧化硅薄膜，形成所述具有棱台状凸起的浮栅。
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