[发明专利]制备钨铼基钡钨阴极的方法

摘要

本发明提供了一种制备钨铼基钡钨阴极的方法。该方法包括步骤A制备NH4ReO4水溶液；步骤B将多孔W基底浸入所述NH4ReO4水溶液中，使所述多孔W基底吸附NH4ReO4；步骤C对吸附NH4ReO4后的多孔W基底进行烘烤、烧结，使其转化为W‑Re基底；以及步骤D在W‑Re基底中浸入铝酸盐并覆膜制备阴极，完成钨铼基钡钨阴极的制备。本发明采用液固相法实现了合成性能优良的浸渍钡钨阴极W‑Re基底，可以提高W‑Re基底中Re在W基底中的掺杂均匀性，从而提高阴极发射性能，延长阴极寿命，具有较好的推广应用前景。

主权项

一种制备钨铼基钡钨阴极的方法，其特征在于，包括：步骤A：制备NH4ReO4水溶液；步骤B：将多孔W基底浸入所述NH4ReO4水溶液中，使所述多孔W基底吸附NH4ReO4；步骤C：对吸附NH4ReO4后的多孔W基底进行烘烤、烧结，使其转化为W‑Re基底；以及步骤D：在W‑Re基底中浸入铝酸盐并覆膜制备阴极，完成钨铼基钡钨阴极的制备；其中，所述步骤C中，所述烘烤为在真空气氛中烘烤，所述烧结为在氢气气氛下烧结，所述步骤C包括：将多孔W基底放入真空炉中，在烘烤温度下烘烤30分钟；以及将烘烤后的多孔W基底置于氢气炉中，在第一烧结温度下烧结10分钟，第二烧结温度下烧结10分钟，使吸附NH4ReO4后的多孔W基底转化为W‑Re基底；其中，所述烘烤温度介于450℃至550℃之间，所述第一烧结温度介于950℃至1050℃之间，所述第二烧结温度为1250℃。