[发明专利]一种逆导型IGBT器件

摘要

本发明属于功率半导体器件技术领域，具体的说涉及一种逆导型IGBT器件。本发明相比于传统逆导型IGBT结构，在源极金属增加了发射极肖特基金属、在N型电场阻止层下设置N-区，分别改善了工作在续流二极管模式下的反向恢复特性与抑制了snapback现象的产生。本发明的有益效果为，具有快的反向恢复时间、在较短的背面P+集电区就可以消除snapback现象，且其制备工艺与传统IGBT器件工艺相兼容。本发明尤其适用逆导型IGBT器件。

主权项

一种逆导型IGBT器件，其元胞结构包括N‑漂移区(8)、位于N‑漂移区(8)上层的发射极结构和栅极结构和位于N‑漂移区(8)下层的集电极结构；所述栅极结构为沟槽栅，包括栅氧化层(7)和位于栅氧化层(7)中的多晶硅栅电极(3)；所述发射极结构位于两个沟槽栅之间，包括发射极金属(2)、N+发射区(4)、P型基区(5)和P+区(6)；所述N+发射区(4)位于P型基区(5)中，N+发射区(4)和P型基区(5)与栅氧化层连接；所述P+区(6)与P型基区(5)连接；所述发射极金属(2)位于N+发射区(4)和P+区(6)的上表面；所述集电极结构包括P+集电区(11)、N+集电极短路区(12)和金属集电极(13)；所述P+集电区(11)和N+集电极短路区(12)并列位于金属集电极(13)的上表面；所述P+集电区(11)和N+集电极短路区(13)的上表面与N‑漂移区(8)之间具有N型电场阻止层(9)；其特征在于，所述P+区(6)之间的N‑漂移区(8)上表面具有肖特基金属(1)，所述肖特基金属(1)与发射极金属(2)连接；所述集电极结构还包括N‑区(10)，所述N‑区(10)位于N型电场阻止层(9)与N+集电极短路区(12)和部分P+集电区(11)之间。