[发明专利]一种DDR2-SDRAM控制器及其低延迟优化方法有效

专利信息
申请号: 201510530922.8 申请日: 2015-08-26
公开(公告)号: CN105045722B 公开(公告)日: 2018-06-05
发明(设计)人: 刘昊;何雅乾;黄成 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: G06F12/02 分类号: G06F12/02
代理公司: 江苏永衡昭辉律师事务所 32250 代理人: 王斌
地址: 215000 江苏*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种用于高性能RF自动测试平台的DDR2‑SDRAM控制器及相应的低延迟优化方法,该DDR2‑SDRAM控制器特点是,第一其并不将外部存储模组视为单个资源,而是根据DRAM模组的rank和bank结构,将存储器存储空间划为几个独立的逻辑资源,每个资源为一个有访存需求的任务私有,并在此基础上本发明设计了相应的仲裁方式和指令序列。第二是其改进了刷新机制,控制器在60个访存指令周期的结尾安排1个刷新周期,通过行访问刷新存储阵列中的指定行,将刷新时间化整为零,降低了访存请求和刷新请求冲突对访存延迟的影响。最终使得系统各任务的最大访存延迟性能得到比较大的改善。
搜索关键词: 低延迟 模组 存储器存储空间 自动测试平台 存储阵列 单个资源 访存指令 逻辑资源 刷新请求 刷新周期 外部存储 延迟性能 指令序列 仲裁方式 控制器 行访问 结尾 延迟 优化 冲突 改进
【主权项】:
一种用于RF自动测试平台的低延迟DDR2‑SDRAM控制器,包含用户接口模块,用于服务前端ADC/DAC的访存请求;指令生成模块,生成访存指令;刷新模块,负责存储器刷新操作;其特征在于:用户接口模块包含至少4个用户接口,每个用户接口分别为一个逻辑资源私有;所述逻辑资源由控制器根据存储器的rank和bank结构对存储器存储空间进行划分得来,逻辑资源的地址空间相互独立;访存任务通过对用户接口的占用实现与逻辑资源的一一对应,指令生成模块按顺序服务各用户接口的访存请求;刷新模块在每60个访存指令周期的结尾输出一个刷新指令序列,通过行访问刷新存储阵列中的指定行。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学,未经东南大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510530922.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top