[发明专利]SrCuSi4O10二维晶体的用途及其构成的饱和吸收体器件有效
| 申请号： | 201510535457.7 | 申请日： | 2015-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN105098585B | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 郭强兵;刘小峰;邱建荣 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01S3/16 | 分类号： | H01S3/16;H01S3/067;H01S3/11 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 林超 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SrCuSi4O10二维晶体的用途及其构成的饱和吸收体器件。包括封装在透明容器内作为饱和吸收体的二维晶体和承载该饱和吸收体的基体，饱和吸收体是SrCuSi4O10二维层状晶体，主要是由Sr、Cu、Si、O原子以1:1:4:10的摩尔配比组成，使用酸溶液剥离SrCuSi4O10三维晶体而制备得到。本发明发现了新的具有优异饱和吸收特性的材料体系，为开发新型饱和吸收体提供了更大的空间，其器件具有廉价、适合大规模制备、体积小、可组成多种类型的锁模器件的优点，可应用于脉冲光纤激光器等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 饱和吸收体 二维晶体 制备 脉冲光纤激光器 饱和吸收特性 材料体系 层状晶体 摩尔配比 锁模器件 透明容器 酸溶液 体积小 二维 封装 三维 剥离 承载 应用 发现 开发 | ||
【主权项】：
1.一种SrCuSi4 O10 二维晶体的用途，其特征是：所述SrCuSi4 O10 二维晶体用于制备饱和吸收体的用途。
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