[发明专利]有场电极结构单元场和终止结构间终止台面的半导体器件有效
| 申请号： | 201510538067.5 | 申请日： | 2015-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN105390548B | 公开（公告）日： | 2019-01-08 |
| 发明（设计）人： | D.拉福雷;R.西米尼克 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L21/331;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;胡莉莉 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明涉及有场电极结构单元场和终止结构间终止台面的半导体器件。半导体器件（500）包括具有多个场电极结构（160）和单元台面（170）的单元场（610）。场电极结构（160）成行布置。单元台面（170）将相邻的那些场电极结构（160）彼此分离。每一个场电极结构（160）包括场电极（165）和将场电极（165）与半导体本体（100）分离的场电介质（161）。终止结构（180）围绕单元场（610），从第一表面（101）延伸到半导体本体（100）中，并且包括终止电极（185）和将终止电极（185）与半导体本体（100）分离的终止电介质（181）。终止和场电介质（161,181）具有相同厚度。宽于单元台面（170）的终止台面（190）将终止结构（180）与单元场（610）分离。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 结构 单元 终止 台面 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：单元场（610），其包括成行布置的多个场电极结构（160）和将相邻的那些场电极结构（160）彼此分离的单元台面（170），其中每一个场电极结构（160）包括场电极（165）和将场电极（165）与半导体本体（100）分离的场电介质（161）；其中，所述单元场包括功能区和非功能区，其中所述功能区包括功能晶体管单元，所述功能晶体管单元包括多个场电极结构中的一个或多个、第一导电类型的源极区和与第一导电类型互补的第二导电类型的本体区，并且其中所述非功能区包括非功能晶体管单元，所述非功能晶体管单元包括多个场电极结构中的一个或多个，其中分离非功能晶体管单元中的场电极结构的所述单元台面不包括第一导电类型的源极区；围绕单元场（610）的终止结构（180），其从第一表面（101）延伸到半导体本体（100）中，并且包括终止电极（185）和将终止电极（185）与半导体本体（100）分离的终止电介质（181），所述终止和场电介质（181,161）具有相同厚度；以及终止台面（190），其宽于单元台面（170）并且将终止结构（180）与单元场（610）的非功能区分离。
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