[发明专利]一种刻蚀装置及导电层的刻蚀方法、阵列基板的制备方法在审
申请号: | 201510542684.2 | 申请日: | 2015-08-28 |
公开(公告)号: | CN105206553A | 公开(公告)日: | 2015-12-30 |
发明(设计)人: | 牛犇;孙建明 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/77 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种刻蚀装置、导电层的刻蚀方法及阵列基板制备的方法,属于显示技术领域,其可解决现有技术在阵列基板的刻蚀工艺中制作精度低、刻蚀液种类多、处理成本高的问题。本发明的刻蚀装置及阵列基板制备的方法,通过控制单元控制极化回路进行刻蚀,并根据所述测量回路获得的监控参数对刻蚀进行调整,形成待刻蚀导电层图形,从而能制备出更加精细的阵列基板的器件的图案,有利于实现高像素化显示、提高显示品质;同时,相对于采用光刻胶刻蚀法,刻蚀装置采用同一种刻蚀液可以适用于多种种类的待刻蚀导电层;而且形成的刻蚀液的组成成分简单、方便刻蚀工艺完成后对刻蚀液的处理或回收。 | ||
搜索关键词: | 一种 刻蚀 装置 导电 方法 阵列 制备 | ||
【主权项】:
一种刻蚀装置,其特征在于,包括:用于与待刻蚀导电层形成极化回路的第一电极;与所述第一电极形成测量回路的第二电极;及与所述第一电极、第二电极和待刻蚀导电层接触的刻蚀液;及用于对刻蚀过程进行控制的控制单元。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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