[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明的各个实施例涉及半导体器件及其制造方法。提供了一种半导体器件，其具有配备有经由电荷存储层为与彼此相邻的控制栅极电极和存储器栅极电极的存储器单元，并且性能得到改进。在具有包括通过所谓的后栅极工艺形成的金属栅极电极的栅极电极的MISFET的半导体器件中，通过使硅膜完全硅化来形成控制栅极电极和存储器栅极电极，该控制栅极电极和存储器栅极电极构成分离栅极型MONOS存储器的存储器单元。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体衬底；以及存储器单元，具有：第一栅极电极，包括经由第一绝缘膜而形成在所述半导体衬底之上的第一硅化物层；第二栅极电极，包括经由在其中具有电荷存储部的第二绝缘膜而形成在所述第一栅极电极的侧壁之上的第二硅化物层；以及第一源极区域和第一漏极区域，形成在所述半导体衬底的主表面中；其中所述第二栅极电极经由所述第二绝缘膜而形成在所述半导体衬底之上；其中所述第一硅化物层与所述第一绝缘膜的上表面邻接；并且其中所述第二硅化物层与所述第二绝缘膜的在所述第二栅极电极与所述半导体衬底之间的上表面邻接。