[发明专利]半导体器件的制造方法及衬底处理装置

摘要

本发明提供半导体器件的制造方法及衬底处理装置，能够抑制在衬底上形成膜时的颗粒的产生。所述半导体器件的制造方法包括下述工序：将非同时地进行对处理室内的衬底供给原料气体的工序、从处理室内排出原料气体的工序、对处理室内的衬底供给含氧气体的工序、从处理室内排出含氧气体的工序、对处理室内的衬底供给含氢气体的工序、及从处理室内排出含氢气体的工序作为一循环，通过以规定次数进行该循环，在衬底上形成膜；所述半导体器件的制造方法中，使排出含氧气体的工序及排出含氢气体的工序中的气体排出效果及气体排出效率中的至少任一个比排出原料气体的工序中大。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，所述方法包括以规定次数进行下述循环从而在衬底上形成膜的工序，所述循环为非同时地进行下述工序：经由第一喷嘴对处理室内的衬底供给原料气体的工序，从所述处理室内排出所述原料气体的工序，经由与所述第一喷嘴不同的第二喷嘴对所述处理室内的所述衬底供给含氧气体的工序，从所述处理室内排出所述含氧气体的工序，经由所述第二喷嘴对所述处理室内的所述衬底供给含氢气体的工序，和从所述处理室内排出所述含氢气体的工序；所述制造方法中，使排出所述含氧气体的工序及排出所述含氢气体的工序中的气体排出效果及气体排出效率中的至少任一个比排出所述原料气体的工序中大。