[发明专利]阵列基板及其制造方法在审
| 申请号： | 201510552953.3 | 申请日： | 2015-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN105185788A | 公开（公告）日： | 2015-12-23 |
| 发明（设计）人： | 许可 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 朱绘;徐彦圣 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种阵列基板及其制造方法，属于显示技术领域，解决了现有技术中多晶硅的晶界上存在大量悬空键的技术问题。该制造方法包括：形成非晶硅层；将所述非晶硅层转化为多晶硅层；对所述多晶硅层进行蚀刻，形成硅岛；对所述硅岛进行离子植入工艺；利用等离子体，对所述硅岛中的多晶硅进行补氢。本发明可用于采用低温多晶硅技术的阵列基板。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种阵列基板的制造方法，包括：形成非晶硅层；将所述非晶硅层转化为多晶硅层；对所述多晶硅层进行蚀刻，形成硅岛；对所述硅岛进行离子植入工艺；利用等离子体，对所述硅岛中的多晶硅进行补氢。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
