[发明专利]扇出型封装的结构和制作方法有效

专利信息
申请号: 201510553441.9 申请日: 2015-09-01
公开(公告)号: CN105206592B 公开(公告)日: 2019-01-04
发明(设计)人: 陈峰;陆原 申请(专利权)人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
主分类号: H01L23/485 分类号: H01L23/485;H01L23/488
代理公司: 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 代理人: 殷红梅;韩凤
地址: 214135 江苏省无锡市新区*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供了一种扇出型封装的结构和制作方法,其结构包括带有电极的芯片,芯片主动面朝上,芯片周边填充第一绝缘树脂层,第一绝缘树脂层顶部比芯片上表面高;所述芯片和第一绝缘树脂层顶部覆盖有第二绝缘树脂层,第二绝缘树脂层表面有重布线层通过第二绝缘树脂层的开口与芯片的电极相连;所述第二绝缘树脂层和重布线层上覆盖有第三绝缘树脂层,第三绝缘树脂层有开口,露出重布线层的焊盘,重布线层的焊盘上连接有导电柱,所述导电柱通过重布线层与芯片主动面的电极形成电连接;所述芯片和第一绝缘树脂层的底部有保护层。发明的封装结构中不带承载片,有利于降低封装厚度,同时也扩大了技术的应用范围;而且芯片中未制作铜柱,有利于成本的降低。
搜索关键词: 扇出型 封装 结构 制作方法
【主权项】:
1.扇出型封装的制作方法,其特征是,包括以下步骤:(1)晶圆厂生产的晶圆上有阵列排布的芯片,对应芯片有电极的一面为晶圆的正面,将所述晶圆正面覆盖防护层,背面覆盖贴片膜,然后切割成单个芯片;(2)将切割好的芯片正贴到承载片上;(3)在承载片和芯片上覆盖第一绝缘树脂层,第一绝缘树脂层的高度高于芯片正面的防护层;(4)将第一绝缘树脂层的厚度减薄,减薄到防护层材料,而不破坏芯片和电极;(5)去掉芯片上的防护层,露出芯片的正面和电极;(6)在上一步所得结构的正面涂覆第二绝缘树脂层,并在第二绝缘树脂层表面形成开口,露出芯片的电极;(7)在第二绝缘树脂层和芯片电极表面形成重布线层;(8)在第二绝缘树脂层和重布线层表面涂覆第三绝缘树脂层,并在第三绝缘树脂层表面开口,露出重布线层的焊盘;(9)在重布线层的焊盘表面形成导电柱;(10)去除承载片和贴片膜,然后在第一绝缘树脂层和芯片背面形成保护层;所述防护层通过喷涂、印刷、旋涂、层压、热压、浸泡、溅射、电镀、化学镀、蒸镀、键合或焊接方式制作;所述将第一绝缘树脂层的厚度减薄采用机械减薄、化学减薄或两者相结合的减薄方法,减薄后芯片表面防护层的厚度≥0.5微米;使用电镀方法,在光刻胶的开口处形成重布线层;再去除光刻胶和光刻胶底部的种子层,保留重布线层和重布线层底部的种子层;所述贴片膜使用滚压、旋涂、喷涂、印刷、热压、真空压合、浸泡或压力贴合方式涂覆在芯片上;所述去除承载片和贴片膜,通过加热、机械、化学、激光或冷冻方式拆除;所述在重布线层的焊盘表面形成导电柱的方法为:在重布线层的焊盘表面形成凸点下金属化层,在凸点下金属化层上面形成导电柱;所述导电柱通过印刷、植球、刷球、放球、电镀、化学镀、溅射或蒸镀工艺制作。
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