[发明专利]一种具有高发光效率的QLED器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201510554478.3 | 申请日： | 2015-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN105140412A | 公开（公告）日： | 2015-12-09 |
| 发明（设计）人： | 肖标;付东;谢相伟;闫晓林 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种具有高发光效率的QLED器件及其制备方法，其包括步骤：沉积一复合空穴注入层于ITO基板上；其中，所述复合空穴注入层由金属纳米颗粒分散于空穴注入层中搅拌均匀而制成；沉积一空穴传输层于复合空穴注入层上；沉积一量子点发光层于空穴传输层上；依次沉积一电子传输层和一电子注入层于量子点发光层上，最后蒸镀一阴极于电子注入层上，制得QLED器件。本发明将金属纳米颗粒表面等离子体增强效应应用于QLED器件中，通过向空穴注入层中掺入少量的金属纳米颗粒作为复合空穴注入层用于QLED器件中，从而有效促进了QLED器件中载流子的输运和辐射复合，实现了QLED器件发光效率的有效提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 发光 效率 qled 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有高发光效率的QLED器件的制备方法，其特征在于，包括步骤：A、沉积一复合空穴注入层于ITO基板上；其中，所述复合空穴注入层由金属纳米颗粒分散于空穴注入层中搅拌均匀而制成；B、沉积一空穴传输层于复合空穴注入层上；C、沉积一量子点发光层于空穴传输层上；D、依次沉积一电子传输层和一电子注入层于量子点发光层上，最后蒸镀一阴极于电子注入层上，制得QLED器件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TCL集团股份有限公司，未经TCL集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510554478.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
