[发明专利]一种直接生长法合成CdSe/P3HT复合纳米晶的方法在审
| 申请号： | 201510555371.0 | 申请日： | 2015-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN105200523A | 公开（公告）日： | 2015-12-30 |
| 发明（设计）人： | 吴瑞凤;施和平 | 申请（专利权）人： | 内蒙古工业大学 |
| 主分类号： | C30B29/60 | 分类号： | C30B29/60;C30B29/54 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 010051 内蒙古*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种直接生长法合成CdSe/P3HT复合纳米晶的方法，将聚合物P3HT 6重量份、Se粉79～395重量份，硬脂酸镉340～680重量份，三氯苯1体积份、ODE15体积份，倒入反应釜中充分搅拌，在140～240℃下反应5～25h；丙酮洗涤，沉淀，后用正己烷溶解，洗涤干燥后即得所述的CdSe/P3HT复合纳米晶。本发明将反应温度显著降低，非常有利于大规模工业化生产的实施，生成的CdSe/P3HT纳米晶为零维纳米微球结构，尺寸约为5～20nm，平均约5.3nm，其尺寸与形貌分布很均匀，排列整齐，具有较好的光电转化效率和较好的热稳定性，分解温度在210℃以上，而且反应体系中不使用具有强毒性、价格昂贵的有机膦化合物，在提倡“绿色化学”的今天，这种更为环保的方法具有现实意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 接生 长法 合成 cdse p3ht 复合 纳米 方法 | ||
【主权项】：
一种直接生长法合成CdSe/P3HT复合纳米晶的方法，其特征在于，包括以下几个步骤：1)、将聚合物P3HT 6重量份，Se粉79～395重量份，硬脂酸镉340～680重量份，三氯苯1体积份，ODE15体积份，倒入反应釜中充分搅拌，在140～240℃下反应5～25h；其中，重量份和体积份的对应关系为：1克重量对应1升体积；2)、冷却，加入丙酮洗涤，沉淀，离心，3000r的条件下，离心分离5～10分钟，弃去上清液，将沉淀用过量正己烷溶解，洗涤干燥后即得所述的CdSe/P3HT复合纳米晶。
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