[发明专利]具有双功函数栅极结构的半导体器件有效
| 申请号： | 201510557163.4 | 申请日： | 2015-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN105702730B | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 吴泰京;李振烈;金银贞;金东洙 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括：衬底，沟槽形成在衬底中；第一杂质区和第二杂质区，形成在衬底中，通过沟槽彼此分开；栅电极，形成为填充沟槽的下部；以及覆盖层，形成在栅电极之上以填充沟槽的上部。栅电极包括：第一功函数内衬，形成在沟槽的下部的底表面和侧壁之上，与第一杂质区和第二杂质区不重叠，且包括含铝金属氮化物；以及第二功函数内衬，形成在沟槽的下部的在第一功函数内衬之上的侧壁之上，与第一杂质区和第二杂质区重叠，且包括含硅非金属材料。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 函数 栅极 结构 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底，沟槽形成在衬底中；第一杂质区和第二杂质区，形成在衬底中，通过沟槽彼此分开；栅电极，形成为填充沟槽的下部；以及覆盖层，形成在栅电极之上以填充沟槽的上部，其中，栅电极包括：第一功函数内衬，形成在沟槽的下部的底表面和侧壁之上，与第一杂质区和第二杂质区不重叠，且包括含铝金属氮化物；以及第二功函数内衬，形成在沟槽的下部的在第一功函数内衬之上的侧壁之上，与第一杂质区和第二杂质区重叠，且包括含硅非金属材料。
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