[发明专利]一种双异质结PIN电光调制器结构

摘要

本发明公开了一种双异质结PIN电光调制器结构，包括有N‑Sub型衬底，N‑Sub型衬底的上部设置有SiO₂埋层，SiO₂埋层上部的两侧分别设置有P+阱区、N+阱区，P+阱区、N+阱区之间设置有本征N型锗硅调制区，P+阱区的上部设置有第一电极，N+阱区的上部设置有第二电极，第一电极、本征N型锗硅调制区及第二电极的上部覆盖有SiO₂覆盖层。本发明的双异质结PIN电光调制器结构是一种高载流子注入，低调制功耗的PIN电光调制器，可代替常规硅基PIN电光调制器结构，在电光调制时能够获得更小的调制功耗，提升了光电转换效率，减小了光电集成中电学元件的比重，便于光电集成向更小尺寸的发展。

主权项

1.一种双异质结PIN电光调制器结构，其特征在于，包括有N‑Sub型衬底(8)，所述N‑Sub型衬底(8)的上部设置有SiO2埋层(7)，所述SiO2埋层(7)上部的两侧分别设置有P+阱区(1)、N+阱区(3)，所述P+阱区(1)、N+阱区(3)之间设置有本征N型锗硅调制区(2)，所述P+阱区(1)的上部设置有第一电极(4)，所述N+阱区(3)的上部设置有第二电极(5)，所述第一电极(4)、本征N型锗硅调制区(2)及第二电极(5)的上部覆盖有SiO2覆盖层(6)；所述P+阱区(1)的掺杂浓度为1×1019cm‑3～1×1020cm‑3，掺杂剂为B离子；所述P+阱区(1)的高度为0.17μm，宽度为0.1μm～1μm；所述N+阱区(3)的掺杂浓度为1×1019cm‑3～1×1020cm‑3，掺杂剂为P离子；所述N+阱区(3)的高度为0.17μm，宽度为0.1μm～1μm；所述本征N型锗硅调制区(2)采用锗硅材料制成，其掺杂浓度为1×1015cm‑3，掺杂剂为P离子；所述本征N型锗硅调制区(2)的中心高度为0.22μm，两侧高度为0.17μm，上部宽度为0.4μm～0.6μm，下部宽度为1μm～1.8μm；所述SiO2覆盖层(6)的高度为0.5μm～1μm，宽度为1.2μm～3.8μm；所述SiO2埋层(7)的高度为0.5μm～1μm，宽度为1.2μm～3.8μm；所述N‑Sub型衬底(8)的掺杂浓度为1×1013cm‑3～1×1015cm‑3，掺杂剂为P离子；所述N‑Sub型衬底(8)的高度为100μm～300μm，宽度为1.2μm～3.8μm。