[发明专利]高性能高压平板电容及退磁采样电路有效
| 申请号： | 201510565641.6 | 申请日： | 2015-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN105140305A | 公开（公告）日： | 2015-12-09 |
| 发明（设计）人： | 李育超;王熹伟 | 申请（专利权）人： | 福建省福芯电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/92 | 分类号： | H01L29/92;H01L25/00;H01G4/005;H01G4/008;H01G4/018;H01G4/06 |
| 代理公司： | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人： | 林祥翔;徐剑兵 |
| 地址： | 350001 福建省福州市鼓楼区软*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供高性能高压平板电容及退磁采样电路，其中高性能高压平板电容包括上极板和下极板，所述上极板置于下极板上方，所述上极板为金属导电板，下极板为低掺杂N型半导体板，上极板和下极板之间从下到上依次设置有第一介质层和第二介质层，第二介质层中设置有金属区，下极板中设置有重掺杂N型半导体区，第一介质层设置有连接金属区和重掺杂N型半导体区的导电通孔。本发明的高压平板电容可作为退磁采样器件，在AC/DC LED驱动等应用设计中可使用本发明器件进行退磁采样，不需要额外退磁采样器件浪费芯片面积，同时该高压电容可根据需要调节。 | ||
| 搜索关键词： | 性能 高压 平板 电容 退磁 采样 电路 | ||
【主权项】：
高性能高压平板电容，其特征在于：包括上极板和下极板，所述上极板置于下极板上方，所述上极板为金属导电板，下极板为低掺杂N型半导体板，上极板和下极板之间从下到上依次设置有第一介质层和第二介质层，第二介质层中设置有金属区，下极板中设置有重掺杂N型半导体区，第一介质层设置有连接金属区和重掺杂N型半导体区的导电通孔。
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