[发明专利]高速反相器及其方法

摘要

本发明公开一种高速反相器电路及其方法，该高速反相器电路包含PMOS晶体管、NMOS晶体管、以及电阻。该PMOS晶体管由第一输入端接收第一输入信号，且经由第一输出端输出第一输出信号，该NMOS晶体管由第二输入端接收第二输入信号，且由第二输出端输出第二输出信号，该电阻用以提供第一输出信号与第二输出信号之间的隔离。本发明使高速反相器电路的CMOS反相器中的PMOS晶体管和NMOS晶体管分别动作，以让构成的PMOS晶体管信号接收具有快速高到低转态的第一输入信号并输出信号具有快速低到高转态的第一输出信号，并让构成的NMOS晶体管接收具有快速低到高转态的第二输入信号并输出具有快速高到低转态的第二输出信号。

主权项

1.一高速反相器电路，其特征在于，包含有：一第一CMOS反相器，包含一第一PMOS晶体管、一第一NMOS晶体管、以及一第一电阻，该第一CMOS反相器用以接收第一信号与一第二信号，且输出一第三信号与一第四信号；以及一第二CMOS反相器，包含一第二PMOS晶体管、一第二NMOS晶体管、以及一第二电阻，该第二CMOS反相器用以接收该第三信号与该第四信号，且输出一第五信号与一第六信号；其中该第一PMOS晶体管将该第一信号的高到低转态反相为该第四信号的低到高转态，该第一NMOS晶体管将该第二信号的低到高转态反相为该第三信号的高到低转态，该第一电阻提供该第三信号与该第四信号的隔离，该第二PMOS晶体管将该第三信号的高到低转态反相为该第六信号的低到高转态，该第二NMOS晶体管将该第四信号的低到高转态反相为该第五信号的高到低转态，以及该第二电阻提供该第五信号与该第六信号的隔离。