[发明专利]g-C3N4/TiO2@蒙脱石光催化剂及其制备方法在审
| 申请号： | 201510581789.9 | 申请日： | 2015-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN105107542A | 公开（公告）日： | 2015-12-02 |
| 发明（设计）人： | 孙志明;郑水林;李春全;姚光远 | 申请（专利权）人： | 中国矿业大学(北京) |
| 主分类号： | B01J27/24 | 分类号： | B01J27/24 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种g-C3N4/TiO2@蒙脱石光催化剂及其制备方法，属于非金属矿物材料深加工与环境工程领域。以有机蒙脱石层间域作为微反应区，利用层间域中的改性剂诱导g-C3N4与TiO2的有机前驱体进入蒙脱石层间，通过进一步水解、脱羟及结晶，在蒙脱石片层间生成纳米g-C3N4/TiO2异质结，即得到这种可见光响应的蒙脱石基复合光催化材料。该方法实现了蒙脱石与可见光响应的纳米g-C3N4/TiO2异质结复合，利用蒙脱石载体效应提高了材料对污染物吸附捕捉性能与催化剂的分散性。这种负载型光催化材料在可见光下具有优良的光催化活性，在有机废水深度处理领域具有很大的潜在应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | sub tio 蒙脱石 光催化剂 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
g‑C3N4/TiO2@蒙脱石光催化剂，即在蒙脱石片层间均匀负载g‑C3N4/TiO2异质结纳米片，其特征在于：其中的纳米TiO2为锐钛矿晶型且晶粒尺寸为5～15nm，g‑C3N4/TiO2异质结纳米片与蒙脱石的质量比为25～60：100；所得的光催化剂的禁带宽度为2.2～2.4eV。
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