[发明专利]一种具有低米勒电容的VDMOS器件结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201510585417.3 | 申请日： | 2015-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN105161540A | 公开（公告）日： | 2015-12-16 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;牛博;杨珏琳;蔡果;任敏 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种低米勒电容的VDMOS器件结构及其制作方法。其器件结构的多晶硅栅分控制栅和屏蔽栅两部分，其中位于沟道上的多晶硅栅称为控制栅，控制沟道开启和关断，而位于厚场氧层上面的多晶硅与源电极相连或不相连，称为屏蔽栅。所述新型VDMOS器件的制作方法需要将常规VDMOS的制作方法与局部氧化(LOCOS)工艺相结合，利用一次栅极工艺同时形成控制栅和屏蔽栅，从而节省了制作器件的成本，所述厚氧区域10的引入能够显著减小器件的米勒电容，从而改善VDMOS器件的开关特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 米勒 电容 vdmos 器件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有低米勒电容的VDMOS器件，其元胞结构包括N+型衬底(8)，位于N+衬底(8)正面的N型外延层(7)，位于N+型衬底(8)背面的金属漏电极(9)；N型外延层(7)顶部两侧具有相互平行的两个P‑体区(5)，每个P‑体区(5)中分别具有相互独立的N+源区(6)和P+体接触区(4)；在两个P‑体区(5)之间的N型外延层(7)表面具有厚场氧层(10)，在厚场氧层(10)与两个N+源区(6)之间的区域表面分别具有一层栅氧化层(12)，栅氧化层(12)表面具有多晶硅控制栅电极(2)，厚场氧层(10)表面具有多晶硅屏蔽栅电极(3)；金属源电极(1)与N+源区(6)和P+体接触区(4)相连，多晶硅屏蔽栅电极(3)与金属源电极(1)相连或不相连，金属源电极(1)与多晶硅控制栅电极(2)之间通过隔离介质(11)实现隔离。
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