[发明专利]保护膜、待加工制品及其表面处理方法

摘要

本发明提供一种保护膜、待加工制品及其表面处理方法，属于表面处理技术领域，其可解决现有的用于待加工制品的保护膜难以除去且耐热性和耐电击穿性不好的问题。本发明的保护膜由反应性组合物在基底上固化形成并粘附在基底上，所述反应性组合物包括基料，所述基料包括第一有机硅聚合物，其为含至少两个乙烯基的聚二甲基硅氧烷；第二有机硅聚合物，其为含至少三个Si‑H键的有机硅氧烷低聚物。

主权项

一种保护膜，其特征在于，所述保护膜由反应性组合物在基底上固化形成并粘附在基底上，所述反应性组合物包括基料，所述基料包括：第一有机硅聚合物，其为含至少两个乙烯基的聚二甲基硅氧烷；第二有机硅聚合物，其为含至少三个Si‑H键的有机硅氧烷低聚物；所述第一有机硅聚合物的分子具有如下通式：X(3‑a‑b)PhbMeaSiO(Me2SiO)n1(MeR1SiO)m1SiMeaPhbX(3‑a‑b)；其中，各X分别独立的选自甲基或乙烯基，各R1分别独立的选自乙烯基、苯基、CF3CH2CH2‑中的任意一种，Me代表甲基，Ph代表苯基；各a分别独立的选自1或2或3，各b分别独立的选自0或1，n1和m1分别独立的选自大于或等于0的整数，且50≤(m1+n1)≤2000；所述第二有机硅聚合物的分子具有如下通式：R2Me2SiO(Me2SiO)m2(MeHSiO)n2SiMe2R2；其中，各R2分别独立的选自甲基或氢原子，Me代表甲基，m2为大于或等于0的整数，n2为大于或等于3的整数，且8≤(m2+n2)≤98；所述第一有机硅聚合物中乙烯基的总数量与第二有机硅聚合物中Si‑H键的总数量的比在0.9∶1至1.1∶1之间。