[发明专利]处理半导体器件的方法和芯片封装在审

专利信息
申请号: 201510592285.7 申请日: 2015-09-17
公开(公告)号: CN105428262A 公开(公告)日: 2016-03-23
发明(设计)人: J.希尔施勒;F.克莱因比希勒;H.韦登霍费尔;S.R.耶杜鲁 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L23/28
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 申屠伟进;刘春元
地址: 德国瑙伊比*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明涉及处理半导体器件的方法和芯片封装。在各种实施例中,一种处理半导体器件的方法可以包含:提供包括接触焊盘和聚合物层的半导体器件;以及使接触焊盘和聚合物层的至少部分经受包括氨气的等离子体。
搜索关键词: 处理 半导体器件 方法 芯片 封装
【主权项】:
一种处理半导体器件的方法,所述方法包括:提供包括接触焊盘和聚合物层的半导体器件;以及使接触焊盘和聚合物层的至少部分经受包括氨气的等离子体。
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