[发明专利]用牺牲支撑材料无塌陷干燥高深宽比结构的系统和方法有效
| 申请号： | 201510593234.6 | 申请日： | 2015-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN105448778B | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 罗特莎娜·李玛丽;斯蒂芬·希拉德 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及用牺牲支撑材料无塌陷干燥高深宽比结构的系统和方法。在分别使用湿法蚀刻流体和/或湿法清洗流体中的至少一种来对包括多个高深宽比(HAR)结构的衬底进行湿法蚀刻和/或湿法清洗中的至少一种且不干燥该衬底之后，执行用于干燥该衬底的系统和方法。使用包括支撑材料的溶剂来置换多个HAR结构之间的流体。在溶剂汽化之后，支撑材料从溶液析出且至少部分地填充多个HAR结构。多个HAR结构暴露于非等离子体基刺激，以去除支撑材料。 | ||
| 搜索关键词： | 牺牲 支撑 材料 塌陷 干燥 高深 结构 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于干燥包括多个高深宽比(HAR)结构的衬底的方法，其包括：在分别使用湿法蚀刻流体和湿法清洗流体中的至少一种来对所述衬底进行湿法蚀刻和湿法清洗中的至少一种且不干燥所述衬底之后：使用包括支撑材料的溶剂置换在所述多个高深宽比(HAR)结构之间的流体，其中，在所述溶剂汽化之后，所述支撑材料从溶液析出且至少部分地填充所述多个高深宽比(HAR)结构；以及使所述多个高深宽比(HAR)结构暴露于非等离子体基刺激，以去除所述支撑材料。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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