[发明专利]阵列基板、显示装置及阵列基板的制备方法有效
申请号: | 201510593910.X | 申请日: | 2015-09-17 |
公开(公告)号: | CN105280649B | 公开(公告)日: | 2018-10-19 |
发明(设计)人: | 徐向阳 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/552;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 何青瓦 |
地址: | 518006 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供了一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制备方法。阵列基板包括显示区域和GOA区域。显示区域包括显示区域TFT,显示区域交叉设置有数据线和栅线。GOA区域包括GOA区域TFT、GOA区域电极层和电路保护层,GOA区域设有至少一个第一过孔和至少一个第二过孔,第一过孔的底部为数据线金属层,第二过孔的底部为栅线金属层;GOA区域电极层通过第一过孔与GOA区域TFT电连接,GOA区域电极层通过第二过孔与外部驱动电路电连接,电路保护层覆盖在GOA区域的上方,用于屏蔽外部电磁干扰及保护GOA区域的电路免受腐蚀。本发明能保护保护GOA区域的电路免受电磁干扰和腐蚀,提升了屏幕的品质。 | ||
搜索关键词: | 阵列 显示装置 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:显示区域,包括显示区域TFT,所述显示区域交叉设置有数据线、栅线、下层透明电极和上层透明电极;GOA区域,包括GOA区域TFT、GOA区域电极层和电路保护层,所述GOA区域设置有至少一个第一过孔和至少一个第二过孔,所述第一过孔的底部为数据线金属层,所述第二过孔的底部为栅线金属层;所述GOA区域电极层通过所述第一过孔与所述GOA区域TFT电连接,所述GOA区域电极层通过所述第二过孔与外部驱动电路电连接,其中,所述GOA区域电极层与所述下层透明电极利用同层同构图工艺形成,所述电路保护层与所述上层透明电极利用同层同构图工艺形成;所述显示区域和所述GOA区域之上覆盖有第一绝缘层和第二绝缘层;所述下层透明电极设在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间,所述上层透明电极设在第二绝缘层之上;所述电路保护层覆盖在所述GOA区域的上方,用于屏蔽外部电磁干扰及保护所述GOA区域的电路免受腐蚀;其中,所述GOA区域电极层与所述下层透明电极同层,所述电路保护层与所述上层透明电极同层;所述下层透明电极为像素电极,所述上层透明电极为公共电极;或者,所述下层透明电极为公共电极,所述上层透明电极为像素电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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